MGS05N60D中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
MGS05N60D规格书详情
Insulated Gate Bipolar Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
This IGBT contains a built–in free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient operation at higher frequencies.
• Built–In Free Wheeling Diode
• Built–In Gate Protection Zener Diode
• Industry Standard Package (TO92 — 1.0 Watt)
• High Speed Eoff: Typical 6.5μJ @ IC = 0.3 A; TC = 125°C and dV/dt = 1000 V/μs
• Robust High Voltage Termination
• Robust Turn–Off SOA
产品属性
- 型号：
MGS05N60D
- 制造商：
ONSEMI
- 制造商全称：
ON Semiconductor
- 功能描述：
Insulated Gate Bipolar Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RICHCO |
1425 |
500 |
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Richco |
新 |
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全新原装 货期两周 |
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Cosel |
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Richco |
2022+ |
445 |
全新原装 货期两周 |
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COSEL |
22+ |
NA |
192 |
询价 |
