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MGFC41V3642中文资料三菱电机数据手册PDF规格书

MGFC41V3642
厂商型号

MGFC41V3642

功能描述

3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

文件大小

221.98 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企业简称

MITSUBISHI三菱电机

中文名称

三菱电机株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 19:09:00

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MGFC41V3642规格书详情

DESCRIPTION

The MGFC41V3642 is an internally impedence matched GaAs power FET especially designed for use in 3.6 - 4.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high raliability.

FEATURES

Internally matched to 50ohm system

High output power

P1dB = 14W (TIP.) @ f=3.6 - 4.2 Hz

High power gain

GLP = 12.5 dB (TYP.) @ f=3.6 - 4.2 GHz

High power added efficiency

Eadd = 40 (TYP.) @ f=3.6 - 4.2 GHz

Low Distortion[Item-51]

IM3=-45 dBc(TYP.)@Po=30dBm S.C.L.

APPLICATION

item 01 : 3.6 - 4.2 GHz band power amplifier

item 51 : 3.6 - 4.2 GHz band digital radio communication

产品属性

  • 型号:

    MGFC41V3642

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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