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MGB100D	文件：42.32 Kbytes Page：1 Pages	HIGH BRIGHTNESS GREEN LED LAMP DESCRIPTION MGB100D is high brightness GaP green LED lamp encapsulated in a 12mm diameter green diffused lens. 文件：42.32 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MGB100DA	文件：41.37 Kbytes Page：1 Pages	HIGH BRIGHTNESS GREEN LED LAMP DESCRIPTION MGB100DA is high brightness GaP green LED lamp encapsulated in a 10mm diameter large package, green diffused lens. 文件：41.37 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MGB120D	文件：44.64 Kbytes Page：1 Pages	HIGH BRIGHTNESS GREEN LED LAMP DESCRIPTION MGB120D is high brightness GaP green LED lamp encapsulated in a 12mm diameter large package, green diffused lens 文件：44.64 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MGB120DA-3	文件：45.83 Kbytes Page：1 Pages	ULTRA HIGH BRIGHTNESS GREEN LED LAMP DESCRIPTION MGB120DA-3 is ultra high brightness GaP green LED lamp encapsulated in a 12mm diameter large package, green diffused lens 文件：45.83 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MGB15N35CLT4	文件：99.99 Kbytes Page：8 Pages	Internally Clamped N-Channel IGBT Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt 文件：99.99 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGB15N40CL	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt 文件：81.32 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGB15N40CLT4	文件：100.36 Kbytes Page：8 Pages	Internally Clamped N-Channel IGBT Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt 文件：100.36 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGB15N40CLT4	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt 文件：81.32 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGB20	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	DOT POINT 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMPS DESCRIPTION This series are high efficiency LED lamp with dot point 2.0mm diameter epoxy package. 文件：102.9 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
MGB20D	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	DOT POINT 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMPS DESCRIPTION This series are high efficiency LED lamp with dot point 2.0mm diameter epoxy package. 文件：102.9 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

产品属性

产品编号：
MGB15N40CLT4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 4V，25A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/4µs
测试条件：
300V，6.5A，1 千欧
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
IGBT 440V 15A 150W D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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