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MGB15N35CLT4规格书详情
Internally Clamped N-Channel IGBT
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
• Gate–Emitter ESD Protection
• Temperature Compensated Gate–Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load
• Integrated ESD Diode Protection
• Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessor Devices
• Low Saturation Voltage
• High Pulsed Current Capability
• Optional Gate Resistor (RG)
产品属性
- 型号：
MGB15N35CLT4
- 功能描述：
IGBT 晶体管 15A 350V Ignition
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO263 |
15766 |
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ON/安森美 |
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SOT-263 |
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ON/安森美 |
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SOT-263 |
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ON |
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TO263 |
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SOT-263 |
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TO263 |
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TO-263 |
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ON |
TO263 |
15766 |
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ON/安森美 |
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SOT-263 |
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ON |
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