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MG1250S-BA1MM数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
MG1250S-BA1MM规格书详情
特性 Features
• 超低损耗
• 高强度
• 卓越防短路性能
• 正温度系数器件
• 采用快速续流二极管
技术参数
- 制造商编号
:MG1250S-BA1MM
- 生产厂家
:Littelfuse
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:1.8
- VGES - Gate-Emitter Voltage (V)
:+/-20
- Ptot - Power Dissipation Per IGBT (W)
:500
- Eoff - Turn-off Energy (mJ)
:3.7
- Package Type
:bulk
- Topology
:circuit B
- UL Recognized File Number
:E71639
- Data Sheet (Yes/No)
:Yes
- Marking Code
:MG1250S-BA1MM
- Mounting Method
:Screw
- Packing Type
:S
- Package Size
:Package S: 94 x 34 x 30 (mm)
- Public part (Yes/No)
:Yes
- RoHS
:YES
- Sample capable
:Yes
- SBU
:SBU
- StockCheck
:Yes
- Technology
:IGBT Module
- RthJC - Junction-to-Case Thermal Resistance (Per IGBT) (K/W)
:0.3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse Inc. |
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模块 |
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Littelfuse Inc. |
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Module |
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MOBILYG |
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BGA |
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MOBILYGEN |
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BGA |
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MOBILYG |
23+ |
BGA |
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MOBILYG |
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