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MG1250S-BA1MM中文资料标准数据手册Littelfuse规格书
MG1250S-BA1MM规格书详情
特性 Features
• 超低损耗
• 高强度
• 卓越防短路性能
• 正温度系数器件
• 采用快速续流二极管
技术参数
- 制造商编号
：MG1250S-BA1MM
- 生产厂家
：Littelfuse
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
：1.8
- VGES - Gate-Emitter Voltage (V)
：+/-20
- Ptot - Power Dissipation Per IGBT (W)
：500
- Eoff - Turn-off Energy (mJ)
：3.7
- Package Type
：bulk
- Topology
：circuit B
- UL Recognized File Number
：E71639
- Data Sheet (Yes/No)
：Yes
- Marking Code
：MG1250S-BA1MM
- Mounting Method
：Screw
- Packing Type
：S
- Package Size
：Package S: 94 x 34 x 30 (mm)
- Public part (Yes/No)
：Yes
- RoHS
：YES
- Sample capable
：Yes
- SBU
：SBU
- StockCheck
：Yes
- Technology
：IGBT Module
- RthJC - Junction-to-Case Thermal Resistance (Per IGBT) (K/W)
：0.3
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