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MG12200D-BN2MM数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

MG12200D-BN2MM

参数属性

MG12200D-BN2MM 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3

功能描述

标准

封装外壳

模块

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:50:00

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MG12200D-BN2MM规格书详情

特性 Features

• 超低损耗
• 高强度
• 卓越防短路性能
• 正温度系数器件
• 采用快速续流二极管

技术参数

  • 制造商编号

    :MG12200D-BN2MM

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :1.7

  • VGES - Gate-Emitter Voltage (V)

    :+/-20

  • Ptot - Power Dissipation Per IGBT (W)

    :1050

  • Eoff - Turn-off Energy (mJ)

    :16.5

  • Package Type

    :bulk

  • Topology

    :circuit B

  • UL Recognized File Number

    :E71639

  • Data Sheet (Yes/No)

    :Yes

  • Marking Code

    :MG12200D-BN2MM

  • Mounting Method

    :Screw

  • Packing Type

    :D

  • Package Size

    :Package D: 108 x 62 x 30 (mm)

  • Public part (Yes/No)

    :Yes

  • RoHS

    :YES

  • Sample capable

    :Yes

  • SBU

    :SBU

  • StockCheck

    :Yes

  • Technology

    :IGBT Module

  • RthJC - Junction-to-Case Thermal Resistance (Per IGBT) (K/W)

    :0.12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NA
专业模块
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模块原装主营-可开原型号增税票
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