MD2009DFX分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MD2009DFX |
参数属性 | MD2009DFX 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 700V 10A TO3PF |
功能描述 | High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display |
封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
文件大小 |
200.4 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 13:00:00 |
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MD2009DFX规格书详情
MD2009DFX属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的MD2009DFX晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Description
The MD2009DFX is manufactured using Diffused Collector in Planar Technology adopting new and enhanced high voltage structure. The new MD product series show improved silicon efficiency bringing updated performance to the Horizontal Deflection stage.
General features
■ State-of-the-art technology:
– diffused collector “enhanced generation”
■ More stable performance versus operating
temperature variation
■ Low base drive requirement
■ Tighter hFE range at operating collector current
■ Fully insulated power package U.L. compliant
■ Integrated free wheeling diode
■ In compliance with the 2002/93/EC European
directive
Applications
■ Horizontal deflection output for TV
产品属性
更多- 产品编号:
MD2009DFX
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.8V @ 1.4A,5.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
200µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
5 @ 5.5A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-3PF
- 描述:
TRANS NPN 700V 10A TO3PF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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