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MD2009DFP分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MD2009DFP
厂商型号

MD2009DFP

参数属性

MD2009DFP 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 700V 10A TO220FP

功能描述

High voltage NPN power transistor for CRT TV
TRANS NPN 700V 10A TO220FP

文件大小

268.54 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-24 13:10:00

MD2009DFP规格书详情

MD2009DFP属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。意法半导体(ST)集团制造生产的MD2009DFP晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    MD2009DFP

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.8V @ 1.4A,5.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 5.5A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220 整包

  • 描述:

    TRANS NPN 700V 10A TO220FP

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