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MJD127	文件：1.541 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP127 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD127	文件：408.73 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD127	文件：357.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPepitaxialplanerTransistors Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD127	文件：317.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：2.18315 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP127 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MJD127	文件：246.8 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Leadformedforsurfacemountapplications •HighDCcurrentgain •100tested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspee	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD127	文件：360.31 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconDarlingtonTransistor FEATURES •HighDCCurrentGain •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD127	文件：2.32459 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCCurrentGain ElectricallySimilartoPopularTIP127 Built-inaDamperDiodeatE-C	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJD127	文件：300.34 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
MD127
制造商：
SITI
制造商全称：
SITI
功能描述：
Low-saturation, Low-voltage 2 Channels Bi-directional Motor Driver

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科翼源电子有限公司	MD127	SITI	23+	MSOP10	6203	原厂原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MD127	SITI/点晶	25+	MSOP10	12496	SITI/点晶原装正品MD127即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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