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MCR63V477M13X26	文件：807.26 Kbytes Page：15 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to 2170MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. •TypicalSingle--Ca	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26	文件：634.77 Kbytes Page：20 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26	文件：427.51 Kbytes Page：20 Pages	AirfastRFPowerLDMOSTransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26	文件：424.62 Kbytes Page：12 Pages	RFPowerLDMOSTransistorHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26	文件：690.68 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerLDMOSTransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26	文件：468.68 Kbytes Page：15 Pages	RFPowerLDMOSTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These32WRFpowerLDMOStransistorsaredesignedforcellularbase stationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapability coveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. Features DesignedforWideInstantaneousBandwidt	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26RH	文件：385.37 Kbytes Page：17 Pages	RFPowerLDMOSTransistorN−ChannelEnhancement−ModeLateralMOSFET This93WasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof1427to 1517MHz. Features •Advancedhighperformancein−packageDoherty •Greaternegativegate−sourcevoltagerangeforimprovedClassCoperation	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：948.24 Kbytes Page：19 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：414.55 Kbytes Page：18 Pages	1805–2200MHz,107WAVG.,48VAIRFASTRFPOWERGaNTRANSISTOR Features Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance Advancedhighperformancein--packageDoherty AbletowithstandextremelyhighoutputVSWRandbroadbandoperating conditions	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：557.94 Kbytes Page：16 Pages	N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs Features GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems OptimizedforDohertyApplications InTapeandReel.R3Suffix=250Units,32mmTapeWidth,13--inchReel.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：502.63 Kbytes Page：18 Pages	RFPowerLDMOSTransistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This38WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapabilitycovering thefrequencyrangeof1805to1995MHz. Features Designedforwideinstantaneousbandwidthap	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：474.4 Kbytes Page：16 Pages	RFPowerLDMOSTransistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This63wattasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesigned forcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneous bandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. TypicalDohertySingle--Carrier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：831.07 Kbytes Page：16 Pages	RFPowerLDMOSTransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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MCGPR63V477M13X26-RH	文件：1.0447 Mbytes Page：19 Pages	RFPowerLDMOSTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：868.17 Kbytes Page：13 Pages	RFPowerFieldEffectTransistorsN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MCGPR63V477M13X26-RH	文件：748.8 Kbytes Page：11 Pages	RFPowerFieldEffectTransistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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MCGPR63V477M13X26--RH	文件：1.27025 Mbytes Page：20 Pages	RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MCGPR63V477M13X26--RH	文件：1.4439 Mbytes Page：19 Pages	RFPowerFieldEffectTransistorN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET 2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. •TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale

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