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MMBT3906	文件：303.26 Kbytes Page：3 Pages	30.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906	文件：100.01 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreel	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT3906	文件：279.99 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904). ●CollectorCurrentCapabilityICM=-200mA. ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3906	文件：234.11 Kbytes Page：4 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
MMBT3906	文件：337.8 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor PNPSiliconGeneralPurposeTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors MMBT3904isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT3906	文件：888.02 Kbytes Page：13 Pages	HighDCcurrentgain:0.1mAto100mALowcollector-emittersaturationvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3906	文件：90.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：180.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Ascomplementarytype,theNPNtransistor MMBT3904isRecommended ●Epitaxialplanardieconstruction	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
MMBT3906	文件：1.06678 Mbytes Page：5 Pages	-200mA,-40VPNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ♦CollectorcurrentcapabilityIC=-200mA ♦Collector-emittervoltageVCEO=-40V. APPLICATION ♦Generalswitchingandamplification.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3906	文件：502.76 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
MCP3906T-I/SS
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 电能计量
包装：
管件
输入阻抗：
390 千欧
测量误差：
0.1%
电压 - I/O 高：
2.4V
电压 - I/O 低：
0.85V
电流 - 供电：
2.7mA
表计类型：
Single Phase
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
24-SSOP
描述：
IC ENERGY METERING 24SSOP

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更多MCP3906T-I/SS供应商更新时间2025-5-28 15:30:00

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