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MAX6341EPA	文件：186.96 Kbytes Page：12 Pages	1ppm/째C,Low-Noise,2.5V/4.096V/5VVoltageReferences GeneralDescription TheMAX6325/MAX6341/MAX6350arelow-noise,precisionvoltagereferenceswithextremelylow,0.5ppm/°Ctypicaltemperaturecoefficientsandexcellent,±0.02initialaccuracy.Thesedevicesfeatureburied-zenertechnologyforlowestnoiseperformance.Load-regulationspecificati	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6341ESA	文件：186.96 Kbytes Page：12 Pages	1ppm/째C,Low-Noise,2.5V/4.096V/5VVoltageReferences GeneralDescription TheMAX6325/MAX6341/MAX6350arelow-noise,precisionvoltagereferenceswithextremelylow,0.5ppm/°Ctypicaltemperaturecoefficientsandexcellent,±0.02initialaccuracy.Thesedevicesfeatureburied-zenertechnologyforlowestnoiseperformance.Load-regulationspecificati	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6341MJA	文件：186.96 Kbytes Page：12 Pages	1ppm/째C,Low-Noise,2.5V/4.096V/5VVoltageReferences GeneralDescription TheMAX6325/MAX6341/MAX6350arelow-noise,precisionvoltagereferenceswithextremelylow,0.5ppm/°Ctypicaltemperaturecoefficientsandexcellent,±0.02initialaccuracy.Thesedevicesfeatureburied-zenertechnologyforlowestnoiseperformance.Load-regulationspecificati	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6341-T	文件：179.16 Kbytes Page：14 Pages	5-PinuPSupervisoryCircuitswithWatchdogandManualReset	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MCH6341	文件：476.37 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6341	文件：769.61 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •LowRDS(on) •4Vdrive •Pb-freeandRoHSCompliance •ESDdiode-Protectedgate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6341	文件：58.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6341-TL-H	文件：769.61 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •LowRDS(on) •4Vdrive •Pb-freeandRoHSCompliance •ESDdiode-Protectedgate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6341-TL-W	文件：769.61 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •LowRDS(on) •4Vdrive •Pb-freeandRoHSCompliance •ESDdiode-Protectedgate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCM6341	文件：124.14 Kbytes Page：10 Pages	128Kx24BitStaticRandomAccessMemory	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MDA6341C	文件：590.41 Kbytes Page：8 Pages	0.54INCH(13.8MM)14SEGEMENT,DUALDIGITALPHA-NUMERICSTICKDISPLAY	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMA6341L	文件：162.34 Kbytes Page：11 Pages	짹3g,짹9gTwoAxisLow-gMicromachinedAccelerometer	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MMA6341LT	文件：162.34 Kbytes Page：11 Pages	짹3g,짹9gTwoAxisLow-gMicromachinedAccelerometer	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
NIPCIE6341	文件：516.09 Kbytes Page：15 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCIE-6341	文件：1.93778 Mbytes Page：18 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
NIPXIE-6341	文件：1.93779 Mbytes Page：18 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
NIUSB-6341	文件：1.93779 Mbytes Page：18 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
PM6341	文件：915.16 Kbytes Page：272 Pages	E1FRAMER/TRANSCEIVER DESCRIPTION ThePM6341E1Framer/Transceiver(E1XC)isafeature-richdevicesuitableforuseinmanyE1systems(suchasCSU,DSU,CHBANK,MUX,DPBX,DACS,andESDX)withaminimumofexternalcircuitry.TheE1XCissoftwareconfigurable,allowingfeatureselectionwithoutchangestoexternalw	PMC PMC-Sierra	PMC
PM6341	文件：42.2 Kbytes Page：2 Pages	E1TRANSCEIVER DESCRIPTION ThePM6341E1Framer/Transceiver(E1XC)isafeature-richdevicesuitableforuseinmanyE1systems(suchasCSU,DSU,CHBANK,MUX,DPBX,DACS,andESDX)withaminimumofexternalcircuitry.TheE1XCissoftwareconfigurable,allowingfeatureselectionwithoutchangestoexternalw	PMC PMC-Sierra	PMC
PM6341	文件：934.5 Kbytes Page：2 Pages	E1FRAMER/TRANSCEIVER	PMC PMC-Sierra	PMC

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详细参数

型号：
MCH6341-TL-E
功能描述：
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	MCH6341-TL-E	SANYO	24+	SOT363	5000	全现原装公司现货	询价
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更多MCH6341-TL-E供应商更新时间2024-5-29 10:40:00

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