MCH3481中文资料单 N 沟道，功率 MOSFET，20V，2A，104mΩ数据手册ONSEMI规格书
MCH3481规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.
特性 Features
• Low On-Resistance
• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses, Reduces Heat Dissipation
• 1.2V drive
• Drive at Low Voltage
• Pb-Free, Halogen Free and RoSH compliance
• Environmental Consideration
• ESD Diode-Protected Gate
• ESD Resistance
• Ultra small Package MCPH3 (2.0mm×2.1mm×0.85mmt)
• Saves Board Space
应用 Application
• Load Switch
• Digital SLR
• Game Controller
• Mobile Phone
技术参数
- 制造商编号
：MCH3481
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：9
- VGS(th) Max (V)
：0.9
- ID Max (A)
：2
- PD Max (W)
：0.8
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：147
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.9
- Ciss Typ (pF)
：175
- Package Type
：SC-70FL/MCPH-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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