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MCH3109数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MCH3109

参数属性

MCH3109 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 3A 3MCPH

功能描述

Bipolar Transistor, (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3
TRANS PNP 30V 3A 3MCPH

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-15 9:20:00

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MCH3109规格书详情

描述 Description

MCH3109/MCH3209 is Bipolar Transistor, (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 for DC-DC Converter Applications.

特性 Features

• Adoption of MBIT processes
• Large current capacity
• Low collector-to-emitter saturation voltage
• High-speed switching
• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm)
• High allowable power dissipation

应用 Application

• Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, fl ash

简介

MCH3109属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MCH3109晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MCH3109

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.23

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :40

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.83

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :560

  • fT Min (MHz)

    :380

  • PTM Max (W)

    :0.8

  • Package Type

    :SC-70FL/MCPH-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
19+
SMD
210000
原装现货
询价
三年内
1983
只做原装正品
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05+
原厂原装
50051
只做全新原装真实现货供应
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2450+
SOT323
6540
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22+
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全新原装正品现货,支持订货
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ONSEMI/安森美
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60000
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9600
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可订货 请确认
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