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MCH3106数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MCH3106

参数属性

MCH3106 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 3A 3MCPH

功能描述

MCH3106: Bipolar Transistor, -12V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3
TRANS PNP 12V 3A 3MCPH

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 23:01:00

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MCH3106规格书详情

描述 Description

MCH3106 is Bipolar Transistor, -12V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3 for DC-DC Converter Applications.

特性 Features

Adoption of MBIT processes
Large current capacity
Low collector-to-emitter saturation voltage
High-speed switching
Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm)
High allowable power dissipation

应用 Application

Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, fl ash

简介

MCH3106属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MCH3106晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MCH3106

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Bipolar Transistor

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 1.5A

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :12

  • VCBO (V)

    :15

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 1.5 A

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: VCE = 2V

  • hFE Max

    :Condition: VCE = 2V

  • fT Min (MHz)

    :Condition: VCE = 10V

  • PTM Max (W)

    :Condition: When mounted on ceramic substrate (600mm2×0.8mm)'>0.9

  • Package Type

    :SC-70FL / MCPH-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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