MCH3007分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MCH3007 |
参数属性 | MCH3007 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH |
功能描述 | RF Transistor 12V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single MCPH3 |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
文件大小 |
403.41 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-22 11:40:00 |
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MCH3007规格书详情
MCH3007属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体制造生产的MCH3007晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
RF Transistor
12V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single MCPH3
特性 Features
• Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz)
• High cut-off frequency : fT=8GHz typ (VCE=5V)
• High gain : |S21e|2=12dB typ (f=1GHz)
• Halogen free compliance
产品属性
更多- 产品编号:
MCH3007-TL-H
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.2dB @ 1GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 5mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
3-MCPH
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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