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MC33285D集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

MC33285D
厂商型号

MC33285D

参数属性

MC33285D 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

Automotive Dual High Side TMOS Driver

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

251.7 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Freescale Semiconductor, Inc
企业简称

freescale飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-18 9:19:00

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MC33285D规格书详情

Dual High-Side TMOS Driver

A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance the Gate voltage of both FETs.

Features

• PWM Capability

• Power TMOS Number One (OUT1) Short-Circuit Detection and Short-Circuit Protection

• Voltage Range 7.0 V ≤ 40 V

• Extended Temperature Range from -40°C ≤ 125°C

• Load Dump Protected

• Overvoltage Detection and Activation of OUT2 During Overvoltage

• Single Input Control for Both Output Stages

• Capacitor Value of 100 nF Connected to Pin CP

• Analog Input Control Measurement Detection

• OUT1 LOAD Leakage Measurement Detection

• Pb-Free Packaging Designated by Suffix Code EF

产品属性

  • 产品编号:

    MC33285D

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    7V ~ 40V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.7V,1.7V

  • 输入类型:

    非反相

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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