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MC33285D	文件：251.7 Kbytes Page：5 Pages	Automotive Dual High Side TMOS Driver Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance 文件：251.7 Kbytes 页数：5 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MC33285D	文件：317.33 Kbytes Page：13 Pages	Dual High-Side TMOS Driver Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance 文件：317.33 Kbytes 页数：13 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MCZ33285EF	文件：317.33 Kbytes Page：13 Pages	Dual High-Side TMOS Driver Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance 文件：317.33 Kbytes 页数：13 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

详细参数

型号：
MC33285D
功能描述：
IC DRIVER DUAL H-SIDE TMOS 8SOIC
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列：
-
标准包装：
50
配置：
高端
输入类型：
非反相
延迟时间：
200ns 电流 -
峰：
250mA
配置数：
1
输出数：
1 高端电压 -
最大（自引导启动）：
600V
电源电压：
12 V ~ 20 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300，7.62mm）
供应商设备封装：
8-DIP
包装：
管件
其它名称：
*IR2127

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