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MC33153D

Single IGBT Gate Driver

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ONSEMI

安森美半导体

MC33153D

SINGLE IGBT GATE DRIVER

文件:189.99 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC33153DG

Single IGBT Gate Driver

文件:168.95 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC33153DG

Single IGBT Gate Driver

文件:131.3 Kbytes 页数:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC33153DR2

Single IGBT Gate Driver

文件:131.3 Kbytes 页数:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC33153DR2G

Single IGBT Gate Driver

文件:131.3 Kbytes 页数:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC33153DR2G

Single IGBT Gate Driver

文件:168.95 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC33153D

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

MC33153DR2

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

MC33153DR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MC33153D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    11V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.2V,3.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1A,2A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    17ns,17ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
2511
8-SOIC(0.154
8500
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价
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MC
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更多MC33153D供应商 更新时间2026-10-28 12:00:00