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MC33172D	文件：217.49 Kbytes Page：12 Pages	Low Power, Single Supply Operational Amplifiers Quality bipolar fabrication with innovative design concepts are employed for the MC33171/72/74 series of monolithic operational amplifiers. These devices operate at 180 μA per amplifier and offer 1.8 MHz of gain bandwidth product and 2.1 V/μs slew rate without the use of JFET device technology. Al 文件：217.49 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33172D	文件：50.09 Kbytes Page：5 Pages	LOW POWER DUAL BIPOLAR OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：50.09 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MC33172D	文件：227.78 Kbytes Page：16 Pages	Single Supply 3.0 V to 44 V, Low Power Operational Amplifiers 文件：227.78 Kbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33172D	文件：142.87 Kbytes Page：9 Pages	Low power dual bipolar operational amplifiers 文件：142.87 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MC33172DG	文件：227.78 Kbytes Page：16 Pages	Single Supply 3.0 V to 44 V, Low Power Operational Amplifiers 文件：227.78 Kbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33172DG	文件：175.61 Kbytes Page：15 Pages	Low Power Operational Amplifiers 文件：175.61 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33172DR2	文件：227.78 Kbytes Page：16 Pages	Single Supply 3.0 V to 44 V, Low Power Operational Amplifiers 文件：227.78 Kbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33172DR2G	文件：227.78 Kbytes Page：16 Pages	Single Supply 3.0 V to 44 V, Low Power Operational Amplifiers 文件：227.78 Kbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33172DR2G	文件：175.61 Kbytes Page：15 Pages	Low Power Operational Amplifiers 文件：175.61 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC33172DT	文件：142.87 Kbytes Page：9 Pages	Low power dual bipolar operational amplifiers 文件：142.87 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
MC33172D
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Low Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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