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MC33152DR2

HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS

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ONSEMI

安森美半导体

MC33152DR2

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

MC33152DR2G

High Speed Dual MOSFET Drivers

The MC34152/MC33152 are dual noninverting high speed drivers specifically designed for applications that require low current digital signals to drive large capacitive loads with high slew rates. These devices feature low input current making them CMOS/LSTTL logic compatible, input hysteresis for f

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ONSEMI

安森美半导体

MC33152DR2G

High Speed Dual MOSFET Drivers

文件:176.06 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC33152DR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MC33152DR2

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    6.1V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    36ns,32ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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更多MC33152DR2供应商 更新时间2025-9-30 15:44:00