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28C16ATSLASHL	文件：125.8 Kbytes Page：10 Pages	16K(2Kx8)CMOSEEPROM	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
28C16ATSLASHP	文件：125.8 Kbytes Page：10 Pages	16K(2Kx8)CMOSEEPROM	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AT28C16	文件：290.88 Kbytes Page：8 Pages	16K2Kx8PCMCIANonvolatileAttributeMemory Description TheAT28C16-Tistheidealnonvolatileattributememory:itisalowpower,5-volt-onlybytewritablenonvolatilememory(EEPROM).Standbycurrentistypicallylessthan100µA.TheAT28C16-TiswrittenlikeaStaticRAM,eliminatingcomplexprogrammingalgorithms.Thefastwritecycl	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C16	文件：247.81 Kbytes Page：12 Pages	16K(2Kx8)ParallelEEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C16	文件：176.39 Kbytes Page：12 Pages	16K(2Kx8)ParallelEEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C16E	文件：176.39 Kbytes Page：12 Pages	16K(2Kx8)ParallelEEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C16E	文件：581.04 Kbytes Page：9 Pages	16K2Kx8CMOSE2PROM Description TheAT28C16isalow-power,high-performanceElectricallyErasableandProgram mableReadOnlyMemorywitheasytousefeatures.TheAT28C16isa16Kmemory organizedas2,048wordsby8bits.ThedeviceismanufacturedwithAtmel’sreliable nonvolatileCMOStechnology. TheAT28C1	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C16-T	文件：290.88 Kbytes Page：8 Pages	16K2Kx8PCMCIANonvolatileAttributeMemory Description TheAT28C16-Tistheidealnonvolatileattributememory:itisalowpower,5-volt-onlybytewritablenonvolatilememory(EEPROM).Standbycurrentistypicallylessthan100µA.TheAT28C16-TiswrittenlikeaStaticRAM,eliminatingcomplexprogrammingalgorithms.Thefastwritecycl	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C16-W	文件：581.04 Kbytes Page：9 Pages	16K2Kx8CMOSE2PROM Description TheAT28C16isalow-power,high-performanceElectricallyErasableandProgram mableReadOnlyMemorywitheasytousefeatures.TheAT28C16isa16Kmemory organizedas2,048wordsby8bits.ThedeviceismanufacturedwithAtmel’sreliable nonvolatileCMOStechnology. TheAT28C1	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
CAT28C16A	文件：54.46 Kbytes Page：8 Pages	16K-BitCMOSPARALLELE2PROM FEATURES ■Fastreadaccesstimes:90ns,120ns,200ns ■LowpowerCMOScissipation: –Active:25mAMax. –Standby:100µAMax. ■Simplewriteoperation: –On-chipaddressanddatalatches –Self-timedwritecyclewithauto-clear ■Fastwritecycletime:10msmax ■End	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst

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