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MC10H211FNR2G

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

文件:128.259 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC10H211L

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

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ONSEMI

安森美半导体

MC10H211M

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

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ONSEMI

安森美半导体

MC10H211MEL

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

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ONSEMI

安森美半导体

MC10H211MELG

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

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ONSEMI

安森美半导体

MC10H211MG

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

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ONSEMI

安森美半导体

MC10H211P

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

文件:128.259 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC10H211PG

Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate

文件:128.259 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC10H211FNG

Package:20-LCC(J 形引线);包装:管件 类别:集成电路(IC) 门和反相器 描述:IC GATE NOR 2CH 3-INP 20PLCC

ONSEMI

安森美半导体

MC10H211FNR2

Package:20-LCC(J 形引线);包装:管件 类别:集成电路(IC) 门和反相器 描述:IC GATE NOR 2CH 3-INP 20PLCC

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MC10H211

  • 功能描述:

    逻辑门 Dual 3-Input 3-Ouput

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 产品:

    OR

  • 逻辑系列:

    LVC

  • 栅极数量:

    2

  • 线路数量(输入/输出):

    2/1

  • 高电平输出电流:

    - 16 mA

  • 低电平输出电流:

    16 mA

  • 传播延迟时间:

    3.8 ns

  • 电源电压-最大:

    5.5 V

  • 电源电压-最小:

    1.65 V

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DCU-8

  • 封装:

    Reel

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更多MC10H211供应商 更新时间2025-10-7 16:01:00