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MC10H211L	文件：95.38 Kbytes Page：3 Pages	Dual 3-Input 3-Output NOR Gate Description The MC10H211 is designed to drive up to six transmission lines simultaneously. The multiple outputs of this device also allow the wire ORing of several levels of gating for minimization of gate and package count. The ability to control three parallel lines with minimum propagation de 文件：95.38 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC10H211P	文件：95.38 Kbytes Page：3 Pages	Dual 3-Input 3-Output NOR Gate Description The MC10H211 is designed to drive up to six transmission lines simultaneously. The multiple outputs of this device also allow the wire ORing of several levels of gating for minimization of gate and package count. The ability to control three parallel lines with minimum propagation de 文件：95.38 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC10H211_06	文件：128.259 Kbytes Page：6 Pages	Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate 文件：128.259 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MC10H211FNG	文件：128.259 Kbytes Page：6 Pages	Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate 文件：128.259 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC10H211FNR2	文件：128.259 Kbytes Page：6 Pages	Dual 3?묲nput 3?뭀utput NOR Gate 文件：128.259 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MC10H211
功能描述：
逻辑门 Dual 3-Input 3-Ouput
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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