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MC10EP08DR2	文件：75.98 Kbytes Page：8 Pages	Differential 2-Input XOR/XNOR Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MC10EP08DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）门和反相器 - 多功能，可配置描述：IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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MC10EP08DR2

文件：75.98 Kbytes

Page：8 Pages

Differential 2-Input XOR/XNOR

Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera

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ECL 2-Input Differential XOR/XNOR

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ONSEMI

MC10EP08DR2G

文件：100 bytes

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）门和反相器 - 多功能，可配置描述：IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC

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详细参数

型号：
MC10EP08DR2
功能描述：
逻辑门 3.3V/5V ECL 2-Input
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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