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MC10EP08DR2G	文件：178.11 Kbytes Page：10 Pages	ECL 2-Input Differential XOR/XNOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MC10EP08DR2G

文件：178.11 Kbytes

Page：10 Pages

ECL 2-Input Differential XOR/XNOR

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MC10EP08DR2G

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）门和反相器 - 多功能，可配置描述：IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MC10EP08DR2

文件：75.98 Kbytes

Page：8 Pages

Differential2-InputXOR/XNOR

Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

产品编号：
MC10EP08DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器 - 多功能，可配置
系列：
10EP
包装：
管件
逻辑类型：
异或/异或非门
输入数：
2 输入（1，1）
施密特触发器输入：
无
输出类型：
差分
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC

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