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MBT3904DW2T1中文资料双通用晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MBT3904DW2T1

功能描述

双通用晶体管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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MBT3904DW2T1规格书详情

描述 Description

MBT3904DW1T1、MBT3904DW2T 和 MBT3906DW1T1 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用,采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中,此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

特性 Features

• hFE, 100-300
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• Available in 8 mm, 7-inch/3,000 Unit Tape and Reel
• Pb Free Packages are Available
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

技术参数

  • 型号:

    MBT3904DW2T1

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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