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MBT35200MT2G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MBT35200MT2G |
参数属性 | MBT35200MT2G 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 35V 2A 6TSOP |
功能描述 | TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP |
封装外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-16 10:21:00 |
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MBT35200MT2G规格书详情
简介
MBT35200MT2G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MBT35200MT2G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MBT35200MT2G
- 生产厂家
:ONSEMI
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:2A
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:35V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:310mV @ 20mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:100nA
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:100 @ 1.5A,1.5V
- 功率 - 最大值
:625mW
- 频率 - 跃迁
:100MHz
- 工作温度
:-
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:SOT-23-6
- 供应商器件封装
:6-TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TSOP-6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
MOTOROLA |
24+ |
363 |
3000 |
本站现库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TSSOP |
10000 |
原装进口只做订货 寻找优势渠道合作 |
询价 | ||
ON |
22+ |
SOT-363 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
原厂封装 |
9896 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
原装ON |
24+ |
SOT23-6 |
63200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
995 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |