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MBRM120LT1	文件：65.68 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging technique 文件：65.68 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM120LT1G	文件：65.68 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging technique 文件：65.68 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM120LT1G	文件：158.86 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：158.86 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM120LT1G	文件：2.69622 Mbytes Page：48 Pages	Contains all support circuitry needed for the ADS1174/ADS1274 文件：2.69622 Mbytes 页数：48 Pages	TI 德州仪器	TI
MBRM120LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-216AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MBRM120LT1
功能描述：
肖特基二极管与整流器 1A 20V Low Vf
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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更多MBRM120LT1供应商更新时间2026-1-23 14:00:00

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