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MBRD2060T	文件：1.2414 Mbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER GLASS PASSIVATED RECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBRF2060	文件：84.05 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??SchottkyPowerRectifirer SWITCHMODESchottkyPowerRectifier TheSWITCHMODEPowerRectifieremploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforuseasrectifiers	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRF2060	文件：149.75 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPS.IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF2060	文件：272.76 Kbytes Page：2 Pages	Isolated20.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers Features PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequency	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF2060	文件：218.36 Kbytes Page：4 Pages	IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF2060	文件：214.11 Kbytes Page：2 Pages	Isolated20.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBRF2060	文件：1.46513 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBRF2060C	文件：146.59 Kbytes Page：2 Pages	FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MBRF2060CT	文件：124.1 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYISOLATEDPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦IsolatedplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Dualrectifierconstruction,positivecentertap ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ♦Hi	GE GE Industrial Company	GE
MBRF2060CT	文件：84.05 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??SchottkyPowerRectifirer SWITCHMODESchottkyPowerRectifier TheSWITCHMODEPowerRectifieremploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforuseasrectifiers	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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