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MBRD1035CTL	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyPowerRectifier,SwitchMode,10A,35V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTLG	文件：117.22 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODESchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTLG	文件：74.18 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modeSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTLG	文件：120.16 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODESchottkyPowerRectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier DPAKPowerSurfaceMountPackage TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTLG	文件：231.35 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyPowerRectifier,SwitchMode,10A,35V TheMBRD1035CTLemploystheSchottkyBarrierprincipleina largeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometry featuresepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetal overlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency switchingpowersupplies,freewheelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD1035CTL-T	文件：63.87 Kbytes Page：3 Pages	10ASURFACEMOUNTDUALSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionfor TransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •VeryLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,OR’ing,andPolarityProtection Applications •PlasticMaterial:ULFlamma	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBRF1035	文件：105 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYISOLATEDPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦IsolatedplasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ♦Highsurgecapability ♦Foruseinlowvoltage,hig	GE GE Industrial Company	GE
MBRF1035	文件：255.85 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MBRF1035	文件：140.27 Kbytes Page：2 Pages	Isolated10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF1035	文件：143.97 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220ACandITO-220ACpackage) •Componentin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
MBRB1035TRR
功能描述：
肖特基二极管与整流器 10 Amp 35 Volt Common Cathode
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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