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MBR60035CTRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：双塔架；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRF60035	文件：123.86 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE600A Features •HighSurgeCapability •TypesUpto45VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBRF60035	文件：469.13 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom20Vto40VVR •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRF60035R	文件：123.86 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE600A Features •HighSurgeCapability •TypesUpto45VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBRP60035CTL	文件：122.48 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBRP60035CTL	文件：84.47 Kbytes Page：4 Pages	POWERTAPII??SWITCHMODE??PowerRectifier POWERTAPII™SWITCHMODE™PowerRectifier TheSWITCHMODEPowerRectifierusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thisstate-of-the-artdevicehasthefollowingfeatures: •DualDiodeConstruction—MayBeParalleledforHigherCurrentOutput •GuardringforStressProt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MBRT60035	文件：650.1 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MBRT60035L	文件：604.85 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRT60035R	文件：650.1 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI

产品属性

产品编号：
MBR60035CTRL
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
300A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

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更多MBR60035CTRL供应商更新时间2025-7-17 16:11:00

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