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MJ4035	文件：220.75 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS MEDIUMPOWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-basePNPpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintentedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Thecompleme	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MJ4035	文件：130.02 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •RespectivelycomplementtotypeMJ4030/4031/4032 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ4035	文件：588.6 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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MJ4035	文件：69.75 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJ4035isasiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-3metalcase.Itisintededforuseingeneralpurposeandamplifierapplications. ThecomplementaryPNPtypeistheMJ4032. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJ4035	文件：125.29 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(16A,60-100V,150W) MEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance DCCurrentGainhFE=3500(Typ)@lc=10A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntRes	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
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详细参数

型号：
MBR4035PT_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 40 amp Rectifiers Schottky Barrier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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