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MSRTA20080D	文件：393.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MSRTA20080D	文件：644.3 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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PNE20080CPE	文件：923.83 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPE-Q	文件：263.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPE-QZ	文件：263.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPEZ	文件：923.83 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPE	文件：263.96 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPE-Q	文件：264.15 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
MBR20080CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200A（DC）
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER

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