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MUR20060CT	文件：135.46 Kbytes Page：3 Pages	200AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR20060CT	文件：414.06 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20060CT	文件：667.75 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20060CTR	文件：139.16 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,200A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20060CTR	文件：414.06 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20060CTR	文件：380.7 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom400to600VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20060CTR	文件：667.75 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF20060	文件：353.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF20060R	文件：353.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20060	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI

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详细参数

型号：
MBR20060R
制造商：
TRSYS
制造商全称：
Transys Electronics
功能描述：
SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科雨电子有限公司	MBR20080CT	GENESIC	1809+	双塔架	96	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多MBR20060R供应商更新时间2025-6-7 14:13:00

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