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MBR360	文件：135.95 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR360	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360D	文件：368.93 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR360DR	文件：368.93 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR360DS	文件：477.48 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR360F	文件：483.58 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT3.0A DESCRIPTION The MBR320F~MBR3200Fareavailablein SOD123FLPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotecti	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR360G	文件：59.75 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360G	文件：168.5 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewhee	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360K	文件：368.93 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR360KR	文件：368.93 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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产品属性

产品编号：
MAZS360GML
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±3%
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-79，SOD-523
供应商器件封装：
SS迷你型2-F4
描述：
DIODE ZENER 36V 150MW SSMINI2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MAZS360GML	Panasonic-SSG	24+	SSMini2P	7500		询价
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