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MBR3100	文件：135.95 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR3100	文件：98.57 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
MBR3100	文件：306.6 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER Description TheMBR3100isahighvoltageSchottkyrectifiersuitedforswitchmodepowersuppliesandotherpowerconverters.Thisdeviceisintendedforuseinmediumvoltageoperation,andparticularly,inhighfrequencycircuitswherelowswitchinglossesandlownoisearerequired. TheMBR3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR3100	文件：166.64 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewheel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3100DS	文件：477.48 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR3100F	文件：483.58 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT3.0A DESCRIPTION The MBR320F~MBR3200Fareavailablein SOD123FLPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotecti	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR3100G	文件：58.31 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3100G	文件：166.64 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlap contact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage, high−frequencyinverters,freewheel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3100G-SMA-R	文件：119.52 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability DESCRIPTION TheUTCMBR3100isa3.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR3100issuitableforfreewheelingandp	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR3100L-SMA-R	文件：119.52 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability DESCRIPTION TheUTCMBR3100isa3.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR3100issuitableforfreewheelingandp	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
MAZ3100-L
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon planar type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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