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AN-996	文件：198.22 Kbytes Page：2 Pages	UsingtheFairchildFSTBusSwitchasa5Vto3VTranslator Introduction FairchildFSTBusSwitchescanbeusedforbi-directionaltranslators.Theycaninterface5Vcomponentsto3Vcomponentswithnegligiblepropagationdelay(tPD≤250ps)andminimalpowerdissipation(ICC≤10µA). Asthenumberofsystemsthatinterfacebetween5Vand3.3Vlevelsinc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BF996S	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF996S	文件：37.31 Kbytes Page：5 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BF996S	文件：35.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF996S	文件：68.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ●Integratedgateprotectiondiodes ●Lownoisefigure ●Lowfeedbackcapacitance ●Highcrossmodulationperformance ●Lowinputcapacitance ●HighAGC-range Applications InputandmixerstagesinUHFtuner.	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
BF996S	文件：135.94 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(ForinputstagesinUHFTVtunersHightransconductanceLownoisefigure) SiliconNChannelMOSFETTetrode ●ForinputstagesinUHFTVtuners ●Hightransconductance ●Lownoisefigure	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF996S	文件：133.7 Kbytes Page：8 Pages	N.ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BF996SA	文件：133.7 Kbytes Page：8 Pages	N.ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BF996SB	文件：133.7 Kbytes Page：8 Pages	N.ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
F996	文件：178.87 Kbytes Page：2 Pages	ATOBladeFuseRated32V	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

详细参数

型号：
MAX996ESD-T
功能描述：
校验器 IC Quad uPower Comparator
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

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