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AS998	文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages	ICintendedforuseasaPWMcontroller	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BF998	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF998	文件：180.2 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF998	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF998A	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998A	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998B	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998R	文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF998R	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF998R	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998R	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998R	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998R	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF998R	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998RA	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998RA	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
MAX998ESA+
功能描述：
校验器 IC Single Low Power Comparator
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MAX998ESA+	Maxim(美信)	23+	标准封装	7053	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	MAX998ESA+	MAX	23+	SMD	18000		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	MAX998ESA+	Maxim	07+/08+	8-SOIC	277		询价
深圳市博浩通科技有限公司	MAX998ESA+	MAXIM	23+	8-SOIC	7750	全新原装优势	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	MAX998ESA+	MAXIM	13+	N.SO	3758	原装分销	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MAX998ESA+	MAX	23+	SOP	5000	原装正品,假一罚十	询价
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	MAX998ESA+	MaximIntegrated	2019+	8-SOIC	65500	原装正品货到付款,价格优势!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MAX998ESA+	Maxim	20+	8-SOIC	65790	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	MAX998ESA+	MAXIM/美信	21+		65230		询价
深圳市赛能新源半导体有限公司	MAX998ESA+	MAXIM	21+	SOP8	16500	进口原装正品现货	询价

更多MAX998ESA+供应商更新时间2024-4-30 16:44:00

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