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NK9926D	文件：983.9 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NK9926G	文件：983.82 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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PE9926	文件：2.40794 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RM9926	文件：207.86 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SDM9926	文件：984.02 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDM9926	文件：571.14 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FETURES ●SurfaceMountPackage. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDM9926A	文件：351.47 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SurfaceMountPackage. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SE9926	文件：567.04 Kbytes Page：9 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SFS9926	文件：1.043619 Mbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
MAX9926UEVKIT
功能描述：
磁传感器开发工具 Variable-Reluctance Sensor Interface
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated

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