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RUT951	文件：2.20236 Mbytes Page：14 Pages	RUT951 FEATURES 4G(LTE)–Cat4upto150Mbps,3G–Upto42Mbps,2G–Upto236.8kbps Signalstrength(RSSI),SINR,RSRP,RSRQ,EC/IO,RSCP,Bytessent/received,connectedband,IMSI,ICCID SMSstatus,SMSconfiguration,send/readSMSviaHTTPPOST/GET,EMAILtoSMS,SMStoEMAIL,SMStoHTTP,SM	TELTONIKA TELTONIKA NETWORKS.	TELTONIKA
SDR951E	文件：199.3 Kbytes Page：2 Pages	60AMPS100-200VOLTS35nsecHYPERFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR951M	文件：79.52 Kbytes Page：2 Pages	50A,35nsectyp.,100-200VHyperFastRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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SQJ951EP	文件：178.44 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveDualP-Channel30V(D-S)175°CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJ951EP	文件：377.36 Kbytes Page：13 Pages	AutomotiveDualN-Channel12V(D-S)175째CMOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJ951EP	文件：233.93 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveDualP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQJ951EP	文件：232.99 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveDualP-Channel30V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •AEC-Q101qualifiedd •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STN951	文件：100.11 Kbytes Page：8 Pages	Lowvoltagefast-switchingPNPpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STN951	文件：121.16 Kbytes Page：8 Pages	Lowvoltagefast-switchingPNPpowertransistor Description ThedeviceismanufacturedinPNPplanartechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollector-emittersaturationvoltage ■Highcurrentgaincharacterist	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
MAX951C/D
功能描述：
特殊用途放大器 Ultra-Low-Power Single-Supply Op Amp + Comparator + Reference
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
Single
工作电源电压：
3 V to 5.5 V
电源电流：
5 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-20
封装：
Reel

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