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S9013	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. •Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) •HighCollectorCurrent.(IC=500mA) •ComplementarytoSS9012 •ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
S9013	文件：230.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
S9013	文件：593.19 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoS9012 ●ExcellenthFElinearity	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
S9013	文件：349.4 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W CollectorCurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9013	文件：87.63 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
S9013	文件：52.23 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheS9013isdesignedforusein1WoutputamplifierofportableradiosinclassBpush-pulloperation. Features •HighTotalPowerDissipation.(PT:625mW) •HighCollectorCurrent.(IC:500mA) •ComplementarytoS9012 •Excellentlinearity.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
S9013	文件：124.21 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE ComplementarytoS9012 ExcellenthFElinearity	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
S9013	文件：304.68 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
S9013	文件：752.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Features •HighCollectorCurrent.(IC=500mA） •ComplementaryToS9012. •ExcellentHFELinearity. •Powerdissipation.(PC=300mW)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
S9013	文件：815.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCollectorCurrent. ●ComplementarytoS9012. ●ExcellenthFELinearity.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
MAX9013EUA-T
功能描述：
校验器 IC 5ns Precision TTL Comparator
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

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