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UPA834TF	文件：68.83 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA834TFhastwodifferentbuilt-intransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.4dBTYP.,Q2:NF=1.2dBTYP. @f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q1:\|S21e\|2=12.0dBTYP.Q2:\|S21e	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA834TF	文件：60.7 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA834TF	文件：212.52 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC834	文件：504.89 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseJ-FETInputQuadOperationalAmplifier FEATURES InputOffsetVoltage±2mV(TYP.) InputBiasCurrent30pA(TYP.) SlewRate13V/μs(TYP.) UnityGainFrequency3MHz(TYP.) InputReferredNoiseVoltageDensity17nV/Hz(TYP.)(f=1kHz) Built-InPhaseCompensationCircuit Built-InOutputShortCircuitProtection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VSC834	文件：168.8 Kbytes Page：16 Pages	2.5Gb/s17x17CrosspointSwitchwithInputSignalActivity(ISA)Monitoring GeneralDescription TheVSC834isamonolithic17x17asynchronouscrosspointswitchdesignedtocarrybroadbanddatastreamsatupto2.5Gb/s.Thenon-blockingswitchcoreisprogrammedthroughaparallelmicroprocessorinterfacethatallowsrandomaccessprogrammingofeachoutputport.Ahighd	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
VSC834UB	文件：168.8 Kbytes Page：16 Pages	2.5Gb/s17x17CrosspointSwitchwithInputSignalActivity(ISA)Monitoring GeneralDescription TheVSC834isamonolithic17x17asynchronouscrosspointswitchdesignedtocarrybroadbanddatastreamsatupto2.5Gb/s.Thenon-blockingswitchcoreisprogrammedthroughaparallelmicroprocessorinterfacethatallowsrandomaccessprogrammingofeachoutputport.Ahighd	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
ZC834	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCEDIODES SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCE FEATURES CloseToleranceC-VCharacteristics HighTuningRatio *LowIREnablingExcellentPhaseNoisePerformance(IRTypically	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC834A	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCEDIODES SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCE FEATURES CloseToleranceC-VCharacteristics HighTuningRatio *LowIREnablingExcellentPhaseNoisePerformance(IRTypically	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC834ATA	文件：334.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon25Vhyperabruptvaractordiodes Description Arangeofsiliconvaractordiodesforuseinfrequencycontrolandfiltering.FeaturingcloselycontrolledCVcharacteristicsandhighQ.Lowreversecurrentensuresverylowphasenoiseperformance.Availableinsingleordualcommoncathodeformatinawiderageofminiaturesurfac	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC834ATA	文件：93.03 Kbytes Page：6 Pages	SILICON25VHYPERABRUPTVARACTORDIODES Description Arangeofsiliconvaractordiodesforuseinfrequencycontrolandfiltering.Featuring closelycontrolledCVcharacteristicsandhighQ.Lowreversecurrentensuresverylowphase noiseperformance.Availableinsingleordualcommoncathodeformatinawiderageof miniaturesur	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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详细参数

型号：
MAX834EUK
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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