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STS8216	文件：185.14 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STV8216	文件：1.87169 Mbytes Page：97 Pages	MultistandardTVAudioProcessorandDigitalSoundDemodulator GeneralDescription Overview TheSTV82x6iscomposedofthreemainparts: 1.TVSoundDemodulator:providesallthenecessarycircuitryforthedemodulationofaudiotransmissionsofEuropeanandAsianterrestrialTVbroadcasts.Thevarioustransmissionstandardsareautomaticallydetectedand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TA8216H	文件：236.03 Kbytes Page：11 Pages	DualAudioPowerAmplifier	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8216H	文件：404.58 Kbytes Page：10 Pages	DUALAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8216HQ	文件：379.35 Kbytes Page：11 Pages	DualAudioPowerAmplifier	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8216-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8216-H	文件：213.89 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOS??H) HighEfficiencyDC-DCConverterApplications NotebookPCApplications Portable-EquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •High-speedswitching •Smallgatecharge:QSW=3.4nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13.6mΩ(typ.) •Highforward	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UZ8216	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UZ8216	文件：207.7 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS UZ8706,UZ8806SERIES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UZ8216	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
MAX8216EJD
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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