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SBR8215	文件：128.38 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyORingDiode 80AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •LowForwardVoltage •GuardRingprotection •150°CJunctionTemperature •VRRM-10to15Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SBR8215R	文件：137.05 Kbytes Page：2 Pages	80AmpSchottkyRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
STS8215	文件：133.07 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS8215	文件：443.27 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SURA8215	文件：181.74 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,2A,150V Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,oras freewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplications wherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features •SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ−BendLeads •RectangularPackageforAutom	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TA8215	文件：483.32 Kbytes Page：11 Pages	18WBTLx3CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8215H	文件：483.32 Kbytes Page：11 Pages	18WBTLx3CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8215HQ	文件：928.17 Kbytes Page：14 Pages	18WBTL횞2CHAudioPowerAmplifier	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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详细参数

型号：
MAX8215EPD
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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