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TMUX8213PWR	文件：2.085469 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX8213PWR	文件：1.35107 Mbytes Page：37 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricsacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX8213PWR	文件：2.08676 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX8213RUMR	文件：2.08676 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TPC8213-H	文件：1.08897 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8213-H	文件：324.79 Kbytes Page：7 Pages	High-EfficiencyDC竊뢈CConverterApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8213	文件：208.89 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplications LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=8.4mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=13S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancement-mode:Vth=0.5~1.4V(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TQ8213	文件：240.62 Kbytes Page：23 Pages	Multiplexer	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
UZ8213	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ8213	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
MAX8213BMJE
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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