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TMUX8213PWR	文件：2.085469 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX8213PWR	文件：1.35107 Mbytes Page：37 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricsacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX8213PWR	文件：2.08676 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX8213RUMR	文件：2.08676 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TPC8213-H	文件：1.08897 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8213-H	文件：324.79 Kbytes Page：7 Pages	High-EfficiencyDC竊뢈CConverterApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8213	文件：208.89 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplications LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=8.4mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=13S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancement-mode:Vth=0.5~1.4V(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TQ8213	文件：240.62 Kbytes Page：23 Pages	Multiplexer	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
UZ8213	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ8213	文件：207.7 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS UZ8706,UZ8806SERIES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON

产品属性

产品编号：
MAX8213ACSE+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
多压监控器
电压 - 阈值：
5 种可调阀值电压
输出：
开路漏极或开路集电极
复位：
低有效
复位超时：
最小 <1ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 5 CHANNEL 16SOIC

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