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TMUX8212PWR	文件：1.26628 Mbytes Page：32 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMUX8212PWR	文件：2.08676 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX8212RUMR	文件：2.08676 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX8212RUMR	文件：2.085469 Mbytes Page：42 Pages	TMUX821x100-V,FlatRon,1:1(SPST),4-ChannelSwitcheswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Highcontinuouscurrent:200mA •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:10pA	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPC8212-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8212-H	文件：446.37 Kbytes Page：7 Pages	High-EfficiencyDC/DCConverterApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8212	文件：340.7 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=16mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=11S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancementmode:Vth=0.5~1.2V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8212	文件：190.31 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UZ8212	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UZ8212	文件：207.7 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS UZ8706,UZ8806SERIES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON

详细参数

型号：
MAX8212ESA-T
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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