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MGS801A	文件：710.81 Kbytes Page：4 Pages	GaAsSchottkyDiodes	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MGT801	文件：421.11 Kbytes Page：10 Pages	surface-mountLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
MIBT801-S	文件：891.57 Kbytes Page：25 Pages	Applicableforautomotiveinteriorlight	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
MJE801	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE801	文件：99.48 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE700/701/702/703 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE801	文件：103.05 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE700/701/702/703 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE801	文件：130.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE700/701/702/703 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE801	文件：104.62 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE801	文件：346.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE700,MJE800seriesdevicesaremediumpowercomplementarysiliconDarlingtontransistorsdesignedforaudioamplifierapplicationsascomplementaryoutputdevices.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE801T	文件：194.68 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) PLASTICDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. FEATURES HighDCCurrentGain—hFE=2000(Typ)@IC=2.0A MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakageMultiplicat	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC

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详细参数

型号：
MAX801NCPA
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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