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MBR745	文件：65.349 Kbytes Page：2 Pages	7.5ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead-F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR745	文件：35.18 Kbytes Page：3 Pages	7.5AmpereSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowpowerloss,highefficiency. •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequency inverters,freewheeling,andpolarity protectionapplications. •Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction. •Highcurrentcapacity,lowforward voltagedrop.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MBR745	文件：60.7 Kbytes Page：2 Pages	7.5AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES -Lowpowerloss,highefficiency -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR745	文件：81.66 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR745	文件：203.23 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER7.5Amp Description/Features TheMBRB7..Schottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheeling	IRF International Rectifier	IRF
MBR745	文件：42.56 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES PRV:35~60Volts Io:7.5Amperes FEATURES: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Guardringforovervoltageprotection *Foruseinlowvoltage,highfr	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
MBR745	文件：72.5 Kbytes Page：2 Pages	7.5Ampschottkybarrierrectifier20to60volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MBR745	文件：121.37 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifiers FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •Pb−FreePackagesareAvailable* Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement •Instrumentation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR745	文件：248.51 Kbytes Page：2 Pages	7.5AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR745	文件：656.26 Kbytes Page：2 Pages	7.5AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
MAX745C/D
功能描述：
电池管理
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
电池类型：
Li-Ion
输出电压：
5 V
输出电流：
4.5 A
工作电源电压：
3.9 V to 17 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
VQFN-24
封装：
Reel

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